R6524KNX3C16-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）典型值為165mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓（VGS）支持-10V至@5V范圍，具備良好的驅動兼容性與可靠性?；谔蓟璋雽w材料，器件具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、高開關頻率特性和低反向恢復電荷，適用于高效率、高功率密度的電力轉換系統(tǒng)。典型應用涵蓋高壓DC-DC變換器、不間斷電源、光伏逆變裝置及高功率開關電源等場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

R6524KNX3C16-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢