TSM080N03PQ56 RLG_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該N溝道場效應管（MOSFET）具備50A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、6.5毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及最大20V的柵源驅動電壓（VGS）。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統效率，適用于高頻率開關電源、同步整流、電池管理系統及各類中等功率電子設備中的功率控制與轉換環節。器件在兼顧開關速度與熱穩定性的同時，適合對空間和能效有較高要求的應用場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

TSM080N03PQ56 RLG_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢