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              TK4A65DA(STA4,Q,M)_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-220F
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：50/管裝
                                                        參數1：ID:3.9A
                                                        參數2：VDSS:650V
                                                        參數3：RDON:1555mR
                                                        參數4：VGS:-8/+20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）為3.9A，導通電阻（RDS(on)）為1555mΩ。其柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V，具備良好的開關特性和熱穩定性。由于采用碳化硅材料，器件在高頻工作條件下仍能保持較低的開關損耗，適用于對效率和體積有較高要求的電源轉換、適配器及可再生能源相關電路中。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式