RS1E170GNTB-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其極低的導通電阻有效降低導通損耗，適用于高電流、高效率要求的電源管理、電池供電系統及中低電壓開關應用。器件在大電流工作條件下仍能維持較低溫升，適合對熱性能和功率密度有較高需求的電路設計。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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RS1E170GNTB-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢