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              DMG7702SFG-7-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:35A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:7.5mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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              該N溝道MOSFET額定漏極電流為35A,最大漏源電壓為30V,導通電阻典型值為7.5毫歐,在低電壓應用中可有效降低導通損耗。器件適用于對效率和熱性能有要求的電源管理場合,如開關電源、負載開關及便攜式設備的功率控制模塊。其參數組合兼顧電流承載能力與導通特性,適合在緊湊型電路設計中實現高效能量傳輸。

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