FDS8876-F40-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐，可支持連續漏極電流（ID）達18A。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、開關轉換及負載控制等場景。器件結構優化了開關特性，在高頻操作下仍能保持穩定性能，適合緊湊型電子系統中的高效功率切換應用。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDS8876-F40-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢