MBR10200CTF-G1-HXY_TO-220F_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：肖特基二極管最小包裝：50/管裝參數1：IF:10A 參數2：VR:200V 參數3：VF:1.2V 參數4：IR:100uA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該肖特基二極管采用1對共陰極配置，額定正向電流（IF）為10A，最大反向電壓（VR）達200V。其正向壓降（VF）典型值為1.2V，在25℃環境下的反向漏電流（IR）不超過100μA。器件具備優異的浪涌承受能力，最大正向浪涌電流（IFSM）可達120A。此類結構適用于需要雙路整流或鉗位功能的電源轉換與高頻開關電路中，兼顧效率與可靠性。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

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聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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MBR10200CTF-G1-HXY_TO-220F_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：肖特基二極管 最小包裝：50/管裝 參數1：IF:10A 參數2：VR:200V 參數3：VF:1.2V 參數4：IR:100uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：肖特基二極管最小包裝：50/管裝參數1：IF:10A 參數2：VR:200V 參數3：VF:1.2V 參數4：IR:100uA 標價：歡迎咨詢