AON7518_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道MOSFET額定漏極電流（ID）為35A，漏源電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(ON)）為7.5毫歐。器件在中等功率開關應用中具備良好的導通特性和較低的導通損耗，適用于電源管理、電池供電系統、DC-DC轉換器及各類電子負載控制場合。其低RDS(ON)有助于提升能效并減少發熱，配合標準邏輯電平驅動即可實現穩定工作，在注重空間與效率的電路設計中具有實用價值。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢