PMEG40T30EPX-HXY_SMAF_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMAF 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:3A 參數(shù)2：VR:40V 參數(shù)3：VF:0.55V 參數(shù)4：IR:500uA 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該肖特基二極管采用獨立式配置，具有3A的正向電流（IF）和40V的反向重復峰值電壓（VR）。其正向壓降（VF）典型值為0.55V，在導通狀態(tài)下能有效降低功耗；反向漏電流（IR）最大為500μA，表現(xiàn)出良好的反向阻斷特性。器件適用于對效率和熱性能要求較高的電源整流、低壓輸出轉(zhuǎn)換及高頻開關電路等場景，憑借較低的導通損耗和快速恢復特性，可提升系統(tǒng)整體能效與穩(wěn)定性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

PMEG40T30EPX-HXY_SMAF_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMAF 類別：肖特基二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：IF:3A 參數(shù)2：VR:40V 參數(shù)3：VF:0.55V 參數(shù)4：IR:500uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMAF 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:3A 參數(shù)2：VR:40V 參數(shù)3：VF:0.55V 參數(shù)4：IR:500uA 標價：歡迎咨詢