MDD5N50D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為500V，連續(xù)漏極電流（ID）為5A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件適用于需要中等電流和較高電壓耐受能力的電子電路，如開關(guān)電源、電源適配器及各類功率控制模塊。其參數(shù)特性支持在高頻開關(guān)操作中保持較低的導(dǎo)通損耗，同時(shí)兼顧電壓安全裕度，適合對(duì)穩(wěn)定性和效率有一定要求的通用電子設(shè)備應(yīng)用場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

MDD5N50D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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