BT168GW-HXY_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/卷盤參數(shù)1：IT:0.8A 參數(shù)2：VDRM:600V 參數(shù)3：IGT:90uA 參數(shù)4：單向可控硅標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該單向晶閘管模塊額定通態(tài)電流IT為0.8A，重復(fù)峰值電壓VDRM達(dá)600V，觸發(fā)電流IGT低至90μA，具有較高的電壓耐受能力與靈敏的觸發(fā)特性。器件采用單向?qū)ńY(jié)構(gòu)，適用于直流或脈沖控制電路中的功率開關(guān)應(yīng)用。典型場景包括電源管理模塊、小型電機(jī)驅(qū)動、照明調(diào)光電路及交流整流后的控制回路。其低觸發(fā)電流設(shè)計有助于簡化驅(qū)動電路，提升系統(tǒng)響應(yīng)速度，適合集成于對能效和空間布局有要求的電子裝置中，實(shí)現(xiàn)精確的相位控制與負(fù)載通斷管理。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BT168GW-HXY_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：1000/卷盤 參數(shù)1：IT:0.8A 參數(shù)2：VDRM:600V 參數(shù)3：IGT:90uA 參數(shù)4：單向可控硅 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/卷盤參數(shù)1：IT:0.8A 參數(shù)2：VDRM:600V 參數(shù)3：IGT:90uA 參數(shù)4：單向可控硅標(biāo)價：歡迎咨詢