Z0109NN5AA4-HXY_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/卷盤參數(shù)1：IT:1A 參數(shù)2：VDRM:800V 參數(shù)3：IGT:10mA 參數(shù)4：雙向可控硅標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該雙向晶閘管模塊額定通態(tài)電流IT為1A，重復(fù)峰值電壓VDRM達(dá)800V，觸發(fā)電流IGT為10mA，支持雙向?qū)?，適用于交流電源環(huán)境下的功率控制。器件具備較高的電壓裕度和穩(wěn)定的觸發(fā)特性，可確保在負(fù)載波動(dòng)時(shí)可靠工作。典型應(yīng)用涵蓋家用電器中的調(diào)光電路、電熱設(shè)備的功率調(diào)節(jié)、小型電機(jī)的轉(zhuǎn)速控制以及各類交流開關(guān)模塊，適合集成于對(duì)電氣隔離和響應(yīng)速度有要求的控制單元中，實(shí)現(xiàn)對(duì)交流負(fù)載的有效通斷與相位調(diào)控。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

Z0109NN5AA4-HXY_SOT-223_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：1000/卷盤 參數(shù)1：IT:1A 參數(shù)2：VDRM:800V 參數(shù)3：IGT:10mA 參數(shù)4：雙向可控硅 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-223 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：1000/卷盤參數(shù)1：IT:1A 參數(shù)2：VDRM:800V 參數(shù)3：IGT:10mA 參數(shù)4：雙向可控硅標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢