BAS40-05-G3-08_SOT-23-3L_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:0.2A 參數(shù)2：VR:40V 參數(shù)3：VF:1V 參數(shù)4：IR:0.2uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該肖特基二極管采用1對(duì)共陰極結(jié)構(gòu)，正向電流（IF）為0.2A，反向耐壓（VR）達(dá)40V，正向壓降（VF）為1V，反向漏電流（IR）低至0.2μA，具備良好的導(dǎo)通效率與低靜態(tài)損耗特性。其最大正向浪涌電流（IFSM）為0.6A，適用于需要快速響應(yīng)和低功耗的整流、箝位或信號(hào)切換電路。共陰極配置便于在空間受限的雙通道應(yīng)用中簡(jiǎn)化布線，常用于便攜設(shè)備、消費(fèi)類電子產(chǎn)品及高頻信號(hào)處理場(chǎng)景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

BAS40-05-G3-08_SOT-23-3L_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：肖特基二極管 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:0.2A 參數(shù)2：VR:40V 參數(shù)3：VF:1V 參數(shù)4：IR:0.2uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:0.2A 參數(shù)2：VR:40V 參數(shù)3：VF:1V 參數(shù)4：IR:0.2uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢