IRF8714GPBF_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道MOSFET具備15A的連續(xù)漏極電流和30V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻僅為7.5mΩ，適用于對導(dǎo)通損耗敏感的高效能電路。在開關(guān)電源、負(fù)載開關(guān)及同步整流等應(yīng)用中，其低RDS(ON)有助于降低發(fā)熱并提升系統(tǒng)效率。器件支持常規(guī)邏輯電平驅(qū)動(dòng)，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)兼顧開關(guān)速度與穩(wěn)定性，適合用于緊湊型電子設(shè)備中的功率控制與電源管理功能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

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IRF8714GPBF_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢