RB751G-40T2R-HXY_SOD-723_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOD-723 類(lèi)別：肖特基二極管最小包裝：8000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:0.2A 參數(shù)2：VR:30V 參數(shù)3：VF:0.45V 參數(shù)4：IR:0.5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該肖特基二極管采用獨(dú)立式配置，具有0.2A的正向電流（IF）和30V的反向重復(fù)峰值電壓（VR）。其正向壓降（VF）低至0.45V，有助于減少導(dǎo)通損耗；反向漏電流（IR）僅為0.5μA，展現(xiàn)出優(yōu)異的反向阻斷能力。器件的正向浪涌電流（IFSM）為0.1A，適用于低功耗、高效率要求的信號(hào)整流、電源箝位及高頻開(kāi)關(guān)等電路場(chǎng)合。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

RB751G-40T2R-HXY_SOD-723_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOD-723 類(lèi)別：肖特基二極管 最小包裝：8000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:0.2A 參數(shù)2：VR:30V 參數(shù)3：VF:0.45V 參數(shù)4：IR:0.5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOD-723 類(lèi)別：肖特基二極管最小包裝：8000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:0.2A 參數(shù)2：VR:30V 參數(shù)3：VF:0.45V 參數(shù)4：IR:0.5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)