MS110_R1_00001_SMA_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：肖特基二極管最小包裝：2000/圓盤參數(shù)1：IF:1A 參數(shù)2：VR:100V 參數(shù)3：VF:0.85V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該肖特基二極管為獨立式結(jié)構(gòu)，具有1A的額定正向電流和100V的最大反向重復(fù)電壓。其典型正向壓降為0.85V，反向漏電流不超過100μA，體現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗與良好的阻斷特性。器件可承受高達30A的非重復(fù)峰值正向浪涌電流（IFSM），適用于高頻整流、開關(guān)電源次級側(cè)輸出、電池保護電路以及各類對效率和響應(yīng)速度有要求的電子系統(tǒng)中，有助于提升整體能效并減少熱管理負(fù)擔(dān)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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MS110_R1_00001_SMA_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：肖特基二極管 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：IF:1A 參數(shù)2：VR:100V 參數(shù)3：VF:0.85V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：肖特基二極管最小包裝：2000/圓盤參數(shù)1：IF:1A 參數(shù)2：VR:100V 參數(shù)3：VF:0.85V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價：歡迎咨詢