ABS210_ABS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：ABS 類別：整流橋最小包裝：5000圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1V@1A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 2A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@1kV 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 此款整流橋器件采用ABS封裝工藝，專為高可靠性、高效能的電路設計。其卓越的VR1000V額定電壓，確保在高壓環境下穩定工作無虞。在1A電流下，VF僅為1V，展現超低正向壓降特性，有效節省電力損耗，提高整體系統效率。此外，擁有強大的2A輸出電流能力（IO: 2A），輕松應對大電流應用場景。這款半導體器件憑借出色的性能表現與節能優勢，成為電源轉換器、逆變器等電子設備的理想配置選擇，為您的設備運行注入澎湃動力和持久穩定性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

ABS210_ABS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：ABS 類別：整流橋 最小包裝：5000圓盤 參數1：正向壓降(Vf): 1V@1A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 2A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@1kV 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：ABS 類別：整流橋最小包裝：5000圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1V@1A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 2A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@1kV 標價：歡迎咨詢