DB107S_DBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋最小包裝：1500圓盤參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@1A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 1A 參數(shù)4：反向電流(Ir): 10uA@1kV 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

描述: 這款DBS封裝的整流橋器件，專為高效低耗電源轉換應用打造。具備1000V的高反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下安全穩(wěn)定運行。其獨特優(yōu)勢在于1A電流下正向壓降VF僅為1.1V，有效減少功耗并提升系統(tǒng)能效表現(xiàn)。此外，該器件支持最大連續(xù)輸出電流1A（IO），提供卓越的低電流處理能力及穩(wěn)定性。適用于各類小型化、高效率且需處理中等電壓的應用場景，是您電路設計的理想選擇，助力實現(xiàn)緊湊與性能兼?zhèn)涞碾娫唇鉀Q方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DB107S_DBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋 最小包裝：1500圓盤 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@1A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 1A 參數(shù)4：反向電流(Ir): 10uA@1kV 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋最小包裝：1500圓盤參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@1A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 1A 參數(shù)4：反向電流(Ir): 10uA@1kV 標價：歡迎咨詢