DB307S_DBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋最小包裝：1500圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 3A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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描述: 這款DBS封裝的整流橋器件，專為高效能電源轉換應用設計。具有高達1000V的反向電壓額定值（VR），確保在高壓環境下穩定可靠工作。其特點在于2A電流下正向壓降VF低至1.1V，有效降低功耗并提升系統效率。此外，器件提供3A的最大連續輸出電流（IO），適用于中等電流需求場景。該整流橋憑借出色的性能與小型化封裝設計，成為各類電路設計的理想選擇，尤其適合需要處理高電壓且空間受限的應用環境。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DB307S_DBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋 最小包裝：1500圓盤 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 3A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋最小包裝：1500圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 3A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢