DB157S_DBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋最小包裝：1500圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@1A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 1.5A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款DBS封裝整流橋器件，針對高效低耗電源轉換需求設計。具有高達1000V的反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下持久穩定運行。其關鍵特性在于，在1A電流下正向壓降VF低至1.1V，有效優化系統能效并減少功耗。同時，器件具備出色的電流處理能力，最大連續輸出電流可達1.5A（IO），適合中等電流應用場合。憑借精巧的DBS封裝與卓越性能表現，本款整流橋成為電路設計的理想選擇，助您實現高性價比且可靠的電源轉換方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DB157S_DBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋 最小包裝：1500圓盤 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@1A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 1.5A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DBS 類別：整流橋最小包裝：1500圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@1A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 1.5A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢