ESD8D3.3C-HXY_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/3.3V 參數(shù)3：電流IPP/9.0A 參數(shù)4：電容Cj/15.0pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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描述: 該DFN1006-2L封裝的雙向ESD靜電防護(hù)二極管專為3.3V系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供單通道高效防護(hù)。器件能在瞬態(tài)條件下承受9A峰值脈沖電流IPP，有效防止雙向靜電放電對電路的影響。其結(jié)電容低至15pF，確保在高速數(shù)據(jù)接口應(yīng)用中保持出色的信號完整性，是現(xiàn)代便攜式與高集成電子設(shè)備的理想ESD保護(hù)選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

ESD8D3.3C-HXY_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤 參數(shù)1：Bi雙向 參數(shù)2：電壓VRWM/3.3V 參數(shù)3：電流IPP/9.0A 參數(shù)4：電容Cj/15.0pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/3.3V 參數(shù)3：電流IPP/9.0A 參數(shù)4：電容Cj/15.0pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢