PESDNC2FD7VB_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/7.0V 參數(shù)3：電流IPP/9.0A 參數(shù)4：電容Cj/8.0pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 此款DFN1006-2L封裝的雙向ESD靜電防護(hù)二極管，專為7V系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供單通道高效保護(hù)。器件擁有9A峰值脈沖電流IPP能力，可有效抵御雙向瞬態(tài)ESD沖擊，確保電子設(shè)備不受靜電損傷。其8pF低結(jié)電容特性尤其適合高速數(shù)據(jù)接口應(yīng)用，兼顧卓越的信號完整性和高強(qiáng)度ESD防護(hù)性能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

PESDNC2FD7VB_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤 參數(shù)1：Bi雙向 參數(shù)2：電壓VRWM/7.0V 參數(shù)3：電流IPP/9.0A 參數(shù)4：電容Cj/8.0pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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