ESD8D12C-HXY_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/12.0V 參數(shù)3：電流IPP/8.0A 參數(shù)4：電容Cj/6.5pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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描述: 這款DFN1006-2L封裝的雙向ESD靜電防護(hù)二極管，專為12V系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供單通道高效防護(hù)。具備8A峰值脈沖電流IPP能力，有效對(duì)抗雙向瞬態(tài)ESD事件。其低至6.5pF的結(jié)電容確保在高速信號(hào)傳輸中保持優(yōu)異信號(hào)完整性，是各類高要求接口和電子設(shè)備理想的緊湊型、高性能ESD解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

ESD8D12C-HXY_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤 參數(shù)1：Bi雙向 參數(shù)2：電壓VRWM/12.0V 參數(shù)3：電流IPP/8.0A 參數(shù)4：電容Cj/6.5pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/12.0V 參數(shù)3：電流IPP/8.0A 參數(shù)4：電容Cj/6.5pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢