UAD8C05L01-HXY_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/4.0A 參數(shù)4：電容Cj/0.35pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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描述: 這款DFN1006-2L封裝的高性能雙向ESD靜電防護(hù)二極管專為5V系統(tǒng)設(shè)計(jì)，采用先進(jìn)的1通道結(jié)構(gòu)，擁有超低電容0.35pF，確保高速信號(hào)無損傳輸。器件具備卓越的瞬態(tài)抑制能力，峰值脈沖電流IPP高達(dá)4A，有效抵御雙向靜電放電沖擊，保護(hù)敏感電子設(shè)備免受ESD損害，是高速接口和緊湊型電路的理想防護(hù)選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

UAD8C05L01-HXY_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤 參數(shù)1：Bi雙向 參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/4.0A 參數(shù)4：電容Cj/0.35pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000圓盤參數(shù)1：Bi雙向參數(shù)2：電壓VRWM/5.0V 參數(shù)3：電流IPP/4.0A 參數(shù)4：電容Cj/0.35pF 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢