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BSC160N10NS3G-HXY_DFN5x6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/100V 參數(shù)3：電流ID/75A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/9.2mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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描述: 這款N溝道消費(fèi)級MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，特別為高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定電壓100V，能承載高達(dá)75A連續(xù)電流，適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及大電流開關(guān)場景，提供卓越的導(dǎo)通性能與熱管理效率，是現(xiàn)代緊湊型電子設(shè)備的理想高性能半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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BSC160N10NS3G-HXY_DFN5x6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/100V 參數(shù)3：電流ID/75A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/9.2mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/100V 參數(shù)3：電流ID/75A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/9.2mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢