GBL810_GBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBL 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 8A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 175A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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描述: 此款GBL封裝整流橋器件，專為高效能電源轉換應用打造。其具備高達1000V的反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下安全穩定運行。在3A工作電流下，正向壓降VF低至1.1V，有效減少功率損耗并提升整體系統效能。此外，該器件的最大連續輸出電流可達8A（IO），展現出卓越的電流承載能力，尤其適用于需要處理中高電流強度及高電壓環境的電路設計。這款整流橋憑借其高性能與高可靠性，成為您實現理想電源轉換方案的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBL810_GBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBL 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 8A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 175A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBL 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 8A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 175A 標價：歡迎咨詢