GBU1510_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 15A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 此款GBU封裝整流橋器件，以其卓越的性能和穩(wěn)定性脫穎而出。其具備1000V的高反向電壓額定值（VR），即使在10A連續(xù)工作電流下，正向壓降VF也能保持在低至1.05V，有效優(yōu)化系統(tǒng)能效表現(xiàn)。同時，該器件具有強(qiáng)大的持續(xù)電流承載能力，高達(dá)15A（IO），確保了在嚴(yán)苛條件下仍能穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。這款整流橋適用于各類高電壓、大電流應(yīng)用環(huán)境，是您電路設(shè)計的理想之選，助您實現(xiàn)高效穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBU1510_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 15A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 15A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標(biāo)價：歡迎咨詢