GBU1010_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 10A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款GBU封裝的整流橋器件，專為高電壓、大電流應用場合設計。擁有1000V的高反向電壓額定值（VR），確保在高壓環境下穩定工作。其正向壓降VF在10A電流下低至1.05V，有效降低功耗并提升電源轉換效率。此外，器件具備出色的電流處理能力，最大連續輸出電流可達10A（IO），保證了設備運行時的高效與可靠性。此款整流橋是各類高要求電路設計的理想選擇，助您輕松應對復雜電源轉換挑戰。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBU1010_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 10A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 10A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢