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              GBU410_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：GBU
                                                        類別：整流橋
                                                        最小包裝：500盒
                                                        參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A
                                                        參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV
                                                        參數3：平均整流電流(Io): 4A
                                                        參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 150A
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              描述: 本款高性能整流橋采用GBU封裝，專為高效穩定轉換設計。具有1000V的高反向電壓額定值（VR），在4A電流下正向壓降僅為1.1V（VF），有效降低功耗，提升系統效率。其強大而穩定的電流處理能力可達4A（IO），確保設備運行安全可靠。適用于各類高電壓、大電流應用場合，是您電路設計的理想選擇。
                              
              
            
              
            
              
                
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