KBJ1010_KBJ_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBJ 類別：整流橋最小包裝：250盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 10A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 170A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 此款采用先進KBJ封裝的半導體整流橋器件，專為高效、大電流應用設計。其核心特性包括VR最高耐壓1000V，保證在高壓環境下穩定可靠運行；VF低至1.05V@4A，即使在4A電流下仍維持超低電壓降，顯著提高能源轉換效率與節能效果；額定輸出電流IO高達10A，提供強大而持久的電力處理能力。適用于各類高端電源系統、逆變器等設備中，是提升系統性能和穩定性的重要元件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBJ1010_KBJ_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBJ 類別：整流橋 最小包裝：250盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 10A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 170A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBJ 類別：整流橋最小包裝：250盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 10A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 170A 標價：歡迎咨詢