KBL406_KBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBL 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款采用KBL封裝的整流橋半導體器件，專注于高效低耗能應用。主要特性包括VR耐壓高達600V，確保在中高壓條件下穩定運行；VF值為1.1V@4A，即使在4A的工作電流下，仍能保持較低的電壓降，有效提升系統效率和節能表現；額定電流IO為4A，提供穩定強大的電流轉換能力。廣泛應用于各類電源、逆變器等電子設備中，是優化系統性能與可靠性的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBL406_KBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBL 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBL 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢