KBL410_KBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBL 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款采用KBL封裝的半導體整流橋器件，專為高效能、低損耗應用打造。其主要特性包括VR最高耐壓高達1000V，確保在高壓條件下穩定可靠運行；VF表現卓越，僅1.1V@4A，即使在4A的工作電流下也能保持極低電壓降，有效提升電源轉換效率并減少能耗；額定電流IO為4A，提供強大且穩定的電流處理能力。廣泛應用于各類電源系統、逆變器等電子設備中，助力提升整體性能與穩定性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBL410_KBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBL 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBL 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢