SI4559ADY-HXY_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N+P溝道參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/6A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/48mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款消費(fèi)級(jí)NP溝道MOSFET采用SOP-8封裝，適用于60V電壓環(huán)境，額定電流6A。雙通道設(shè)計(jì)支持正負(fù)電壓控制，廣泛應(yīng)用于電池管理、電源轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景，具備低導(dǎo)通電阻和高效開(kāi)關(guān)性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備理想的雙向功率開(kāi)關(guān)組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

SI4559ADY-HXY_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N+P溝道 參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/6A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/48mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N+P溝道參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/6A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/48mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢