IRF7313TRPBF-HXY_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/8.5A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/18mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 該SOP-8封裝的雙N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET，專為30V電壓下中高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。每個(gè)通道最大連續(xù)電流可達(dá)8.5A，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載切換及電池管理系統(tǒng)，具有低導(dǎo)通電阻與高效能表現(xiàn)，是現(xiàn)代電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)功率控制的理想雙通道解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRF7313TRPBF-HXY_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/8.5A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/18mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/8.5A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/18mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢