MCR100-8_SOT-23_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：3000圓盤參數1：可控硅類型: 單向可控硅參數2：門極觸發電壓(Vgt): 800mV 參數3：保持電流(Ih): 5mA 參數4：斷態峰值電壓(Vdrm): 600V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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描述: 這款專業級單向可控硅采用小型SOT-23封裝，專為高效空間利用設計。器件耐壓高達600V，在A1檔位工作時電流范圍為15-30A，表現出色。具有低觸發門極電流Igt僅為200uA，確保在各種應用中實現精確控制與快速響應。適用于調光、電機控制和電源開關等場合，是您電路保護和功率調節的理想選擇。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MCR100-8_SOT-23_晶閘管(可控硅)/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：晶閘管(可控硅)/模塊 最小包裝：3000圓盤 參數1：可控硅類型: 單向可控硅 參數2：門極觸發電壓(Vgt): 800mV 參數3：保持電流(Ih): 5mA 參數4：斷態峰值電壓(Vdrm): 600V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：晶閘管(可控硅)/模塊最小包裝：3000圓盤參數1：可控硅類型: 單向可控硅參數2：門極觸發電壓(Vgt): 800mV 參數3：保持電流(Ih): 5mA 參數4：斷態峰值電壓(Vdrm): 600V 標價：歡迎咨詢