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智能音箱核心芯片方案解析：從音頻處理到電源管理的全鏈路技術架構

智能音箱作為智能家居生態的核心入口，其 “聽清、聽懂、答好” 的核心能力，依賴于多芯片協同構建的硬件架構。從麥克風采集語音信號，到音頻編解碼、信號優化、網絡傳輸，再到功率放大驅動揚聲器，每一個環節都離不開專用芯片的技術支撐。結合智能音箱工作原理圖（含音頻接口、主控電路、麥克風、網絡傳輸、藍牙模塊、電源模塊等核心單元）及芯片技術文檔，本文將深入拆解智能音箱的芯片方案，重點解析音頻處理、功率放大、電源管理、無線連接四大核心模塊的芯片選型與技術優勢，進一步細化芯片參數、適配邏輯及場景化應用細節。

2025-12-24 閱讀：763 關鍵詞：智能音箱芯片方案音頻處理功率放大電源管理無線連接

華天科技擬參與設立兩支半導體產業投資基金

繼出資20億設立全資子公司南京華天先進封裝有限公司后，近日，國內半導體封測大廠華天科技再出手，擬參與設立兩支半導體產業投資基金。據華天科技9月12日與9月17日接連發布的公告顯示，其下屬企業西安天利投資合伙企業（有限合伙）（以下簡稱“西安天利”）將參與設立江蘇華天盛宇創新成長投資基金（有限合伙）（暫定名，以登記機關核準的企業名稱為準，以下簡稱“專項基金”）和江蘇華天盛宇產業投資基金（有限合伙）（暫定名，以登記機關核準的企業名稱為準，以下簡稱“產業基金”）。專項基金方面，9月12日，西安天利與上海盛宇、華西慧創等共十名出資人簽署了《江蘇華天盛宇創新成長投資基金（有限合伙）合伙協議》。根據協議，全體合伙人擬以現金出資方式共同投資設立上述專項基金。

2025-12-24 閱讀：568 關鍵詞：華天科技半導體產業投資基金專項基金產業基金封裝測試

圣邦微推出帶內部基準電壓源和溫度傳感器的低功耗SPI 兼容 ADC SGM52410SQ

圣邦微電子推出 SGM52410SQ，一款帶內部基準電壓源和溫度傳感器的低功耗、SPI 兼容、24 位車規級 ADC。該器件可應用于汽車應用中的電池電流測量、BMS絕緣檢測和人機界面，溫度測量領域的帶冷端補償的熱電偶和熱敏電阻測量，及便攜式儀器儀表和過程控制和工廠自動化。

2025-12-23 閱讀：630 關鍵詞：圣邦微 SGM52410SQ 低功耗 ADC 車規級傳感器測量

德州儀器推出超低成本實時微控制器 (MCU)，助力家用電器和電動工具實現高端電機控制

德州儀器 (TI) 于近日推出了一款高性價比C2000? 系列實時微控制器 (MCU)，助力工程師以更低成本設計出行業性能領先的產品。新推出的F28E120SC 和 F28E120SB MCU 與之前在單電機和功率因數校正系統中使用的 C2000 MCU 相比，計算能力提高了 30%，有助于改變洗衣機、洗碗機、吸塵器等家用電器和電動工具的性能。該系列新型 MCU 搭載TI 專有的 InstaSPIN? 磁場定向控制 (FOC) 軟件及先進算法，能夠實現更平穩、更靜音且更高能效的電機性能。其所配置的先進功能包括高速無傳感器磁場定向控制 (FOC)、高扭矩零速啟動以及復雜的振動補償技術，助力日常應用實現高精度和高響應的電機控制。

2025-12-23 閱讀：516 關鍵詞：德州儀器 C2000 MCU 家用電器電動工具高端電機控制

音響中軟件分頻和硬件分頻區別解析以及對音質和成本的影響

要理解藍牙音響中軟件分頻與硬件分頻的區別，需先明確 “分頻” 的核心目的：將音頻信號（20Hz-20kHz）拆分為不同頻段（如低頻、中頻、高頻），分別驅動對應頻段的喇叭單元（低音炮、中置、高音頭），避免單喇叭單元覆蓋全頻段導致的失真，提升音質表現。兩者的本質差異在于 “信號拆分的載體”—— 是靠算法還是物理元件，進而延伸出音質、成本的顯著區別。

2025-12-22 閱讀：529 關鍵詞：軟件分頻硬件分頻音質影響成本差異產品定位

DTS vs 杜比：沉浸式音頻技術怎么選？

看電影時總糾結 “選杜比全景聲還是 DTS:X”？玩游戲聽不出 “空間音效” 的差別？買回音壁時被 “Dolby TrueHD”“DTS-HD MA” 等術語搞暈？作為音頻領域的兩大巨頭，DTS 和杜比從影院走向家庭，早已滲透到我們的藍光機、功放、耳機甚至汽車里。今天就從發展歷史、核心特性、設備適配三方面，幫你一文讀懂兩者的差異，選對適合自己的音頻技術！

2025-12-22 閱讀：884 關鍵詞： DTS 杜比沉浸式音頻音質設備適配應用場景

音頻中ADC/DAC/和采樣率關系

要理解音頻領域的 ADC、DAC 和采樣率，需先明確一個核心前提：現實世界中的聲音（如人聲、樂器聲）是模擬信號（連續變化的電信號），而手機、電腦、播放器等數字設備只能處理數字信號（離散的 0 和 1 代碼）。ADC 和 DAC 是連接 “模擬聲音” 與 “數字設備” 的關鍵橋梁，采樣率則是決定 “數字信號還原模擬聲音精度” 的核心指標。下面從定義、原理、應用場景三方面詳細拆解

2025-12-20 閱讀：403 關鍵詞：音頻 ADC DAC 采樣率奈奎斯特定理

MCU的分類？TMS320F28P55x系列如何實現實時控制？

TMS320F28P55x系列是德州儀器推出的MCU產品，一經推出得到了業界的廣泛好評。為增進大家對TMS320F28P55x系列MCU的認識，本文將對MCU的分類、TMS320F28P55x系列MCU邊緣AI實時控制予以介紹。

2025-12-20 閱讀：246 關鍵詞： MCU分類 TMS320F28P55x 邊緣AI 實時控制 NPU

電容在電源電路、音頻電路、射頻電路中的作用

電容描述的是器件儲存電荷的能力。電容的定義是器件的電荷量與電勢之比，常用C表示。電容的量綱是L-2M-1T4I2，國際單位制下單位是F(法拉)。電容器是一種基本的線性電子元件。電容器在電源濾波、信號濾波、信號耦合、諧振、濾波、補償、充放電、儲能、隔離直流電路中都有應用。電子產品，電容無疑是一種不可或缺的器件，其廣泛應用于電源電路、音頻電路以及射頻電路等多個領域。接下來，我們將深入探討電容的基礎知識，帶你全面了解這一關鍵電子元件。電容，英文為“Capacitance”，也常被稱作“電容量”，它衡量的是在特定電位差下，電荷的儲存量。這一物理量以C表示，其國際單位是法拉(F)。簡單來說，當電荷在電場中受到力的作用而發生移動時，若導體間存在介質，便會阻礙電荷的移動，導致電荷在導體上累積，這種現象即為電容的形成。電容的計算公式為：C=εS/4πkd。其中，ε代表介電常數，S是電容極板的正對面積，d是極板間的距離，而k則是靜電力常量。特別地，對于平行板電容器而言，其電容可簡化為C=εS/d，其中ε為極板間介質的介電常數，S為極板面積，d為極板間的距離。

2025-12-18 閱讀：577 關鍵詞：電容電源電路音頻電路射頻電路電容作用電容參數

輸出電容的ESR與紋波抑制：陶瓷電容/電解電容的頻響特性的對比

在開關電源、DC-DC轉換器等高頻電力電子系統中，輸出電容的等效串聯電阻(ESR)與紋波抑制能力直接決定電源的穩定性與壽命。陶瓷電容與電解電容作為兩大主流選擇，其頻響特性與壽命表現存在顯著差異。本文從ESR的物理本質、頻響特性、紋波抑制機制及壽命影響因素四個維度展開對比分析，揭示二者在高頻濾波場景中的協同應用邏輯。

2025-12-18 閱讀：599 關鍵詞：陶瓷電容電解電容 ESR 紋波抑制頻響特性協同應用

MOS管應用中，常見的各種‘擊穿’現象

mos管也稱場效應管，這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。MOSFET是一種場效應晶體管(利用電場控制電流)，由金屬氧化物半導體制成，是目前使用最廣泛的生產技術。在功率MOSFET領域，碳化硅(SiC)也被使用，因為它是電源、逆變器和其他應用所需的更高性能和效率的理想選擇。東芝多年來一直致力于MOSFET的開發和生產，我們廣泛的低中高耐壓設備產品線具有低損耗、高速度、低導通電阻和小封裝等特點—適合各種應用的MOSFET。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(柵介質)。器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS 電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質上產生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小。

2025-12-17 閱讀：554 關鍵詞： MOS管擊穿現象預防方法應對措施雪崩擊穿齊納擊穿

音頻瞬態如何處理

多音樂制作人在混音時都會遇到一個問題：明明樂器、人聲都錄得不錯，混出來卻總覺得底鼓渾濁聽不清，軍鼓軟趴沒爆發力，人聲輔音模糊沒質感。其實，你可能忽略了一個關鍵細節：音頻瞬態。作為聲音開頭那幾毫秒的 “能量爆發”，瞬態直接決定了聲音的沖擊力、清晰度和靈動感。無論是激進的電子鼓點，還是柔和的氛圍音效，搞定瞬態，就能讓你的音樂質感翻倍。本文從基礎概念到實戰技巧，手把手教你搞定不同場景、不同流派的瞬態處理，新手也能輕松上手

2025-12-17 閱讀：399 關鍵詞：音頻瞬態混音處理技巧音樂流派聽覺感受