JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動芯片
在功率電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了整機的效率、可靠性與安全性。今天給大家推薦一款國產(chǎn)高性能驅(qū)動芯片 ——JSM21867STR，來自杰盛微半導(dǎo)體（JSMSEMI），不僅參數(shù)硬核，更能直接替代 IRS21867，為電機驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換等場景提供高性價比解決方案。
深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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JSM21864STR4A700V單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動芯片
在電子工程師的日常研發(fā)中，“芯片替代” 往往是繞不開的課題 —— 供應(yīng)鏈波動、成本控制、性能升級等需求，都可能讓一款成熟產(chǎn)品的核心器件面臨替換。而在高壓柵極驅(qū)動領(lǐng)域，IRS21864 作為經(jīng)典型號，其替代選型更是備受關(guān)注。今天，我們就來深度解析一款來自杰盛微（JSMSEMI）的高性價比替代方案 ——JSM21864STR，從參數(shù)匹配到場景適配，全方位驗證它為何能成為 IRS21864 的 “理想平替”。 -
JSM2186STR4A 700V單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動芯片
在電子設(shè)計的領(lǐng)域中，每一個微小的元件都可能對整個系統(tǒng)的性能產(chǎn)生重大影響。其中，柵極驅(qū)動芯片作為連接控制電路與功率器件的關(guān)鍵橋梁，其性能直接關(guān)系到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率以及可靠性。IRS2186 作為一款頗受歡迎的 700V 大電流高、低側(cè) MOSFET/IGBT 驅(qū)動芯片，以其出色的特性在眾多應(yīng)用中嶄露頭角。然而，在實際的項目開發(fā)或者供應(yīng)鏈管理中，有時我們需要尋找可替代型號，以滿足成本控制、供貨穩(wěn)定性等多方面的需求。今天，就來給大家介紹一款能完美替代 IRS2186 的芯片 ——JSM2186STR 。 -
JSM2186STR4A 700V單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動芯片
在電子設(shè)計的領(lǐng)域中，每一個微小的元件都可能對整個系統(tǒng)的性能產(chǎn)生重大影響。其中，柵極驅(qū)動芯片作為連接控制電路與功率器件的關(guān)鍵橋梁，其性能直接關(guān)系到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率以及可靠性。IRS2186 作為一款頗受歡迎的 700V 大電流高、低側(cè) MOSFET/IGBT 驅(qū)動芯片，以其出色的特性在眾多應(yīng)用中嶄露頭角。然而，在實際的項目開發(fā)或者供應(yīng)鏈管理中，有時我們需要尋找可替代型號，以滿足成本控制、供貨穩(wěn)定性等多方面的需求。今天，就來給大家介紹一款能完美替代 IRS2186 的芯片 ——JSM2186STR 。 -
JSM21834STR4A 700V集成自舉高側(cè)同低側(cè)反驅(qū)動芯片
在電子元器件的快速發(fā)展進(jìn)程中，芯片的更新?lián)Q代日新月異。對于眾多工程師和電子產(chǎn)品制造商而言，尋找性能更優(yōu)、更適配需求的芯片，是提升產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵。今天，我們將深入探討一款極具潛力的芯片 ——JSM21834，它正以卓越的表現(xiàn)，成為 IRS21834 的理想替代者。 -
JSM2183STR4A 700V集成自舉高側(cè)同低側(cè)反驅(qū)動芯片
在工業(yè)控制、家電變頻、電機驅(qū)動的世界里，功率驅(qū)動芯片就像 “神經(jīng)中樞”，決定著整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率與安全性。長期以來，IR2183 作為經(jīng)典的高低側(cè)驅(qū)動芯片，在市場中占據(jù)重要地位。但隨著技術(shù)迭代與應(yīng)用需求升級，一款更具性能優(yōu)勢的替代方案已悄然崛起 ——JSM2183STR 4A700V 集成自舉高側(cè)同低側(cè)反驅(qū)動芯片。今天，我們就來深入解析這款國產(chǎn)芯片如何憑借兩大核心優(yōu)勢，成為 IR2183 的理想替代者，為工程師們的設(shè)計之路降本增效。2025-08-18 閱讀：306 -
JSM21814STRPBF 700V大電流高、低側(cè)MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片
在電力電子領(lǐng)域，一款穩(wěn)定可靠的驅(qū)動芯片是系統(tǒng)高效運行的核心保障。今天為大家推薦一款性能卓越的替代方案 ——JSM21814STRPBF，它可完美替代 IRS21814STRPBF，憑借 700V 高壓支持、大電流驅(qū)動能力和多重保護(hù)設(shè)計，成為電機控制、逆變器等場景的理想之選 -
JSM2181STR 700V單相高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片
在功率電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動芯片如同系統(tǒng)的 “神經(jīng)中樞”，直接決定著功率器件的開關(guān)性能與系統(tǒng)可靠性。長期以來，IRS2181 作為經(jīng)典的 600V 半橋驅(qū)動芯片，憑借穩(wěn)定的性能占據(jù)著不小的市場份額。但隨著高壓應(yīng)用場景的不斷拓展，一款名為 JSM2181STR 的 700V 單相高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片正憑借更優(yōu)異的性能參數(shù)，成為工程師眼中替代 IRS2181 的理想之選。今天我們就從技術(shù)參數(shù)、保護(hù)機制、應(yīng)用適配等維度，全面解析這款國產(chǎn)驅(qū)動芯片的硬核實力。 -
JSM27710DR單相高低側(cè)功率MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片
在功率電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，驅(qū)動芯片作為功率器件的 “大腦”，其性能與可靠性直接決定了整個電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性。面對市場對高性價比、高兼容性功率驅(qū)動方案的迫切需求，國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)杰盛微（JSMSEMI）正式推出重磅產(chǎn)品 ——JSM27710DR 單相高低側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動芯片，作為 UCC27710DR 的完美替代型號，為工程師們帶來更可靠、更適配的技術(shù)選擇！ -
JSM2104STR700V 集成自舉帶SD功能單相高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片
在功率電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率與可靠性。今天給大家推薦一款國產(chǎn)高性價比柵極驅(qū)動芯片 ——JSM2104STR，它不僅性能優(yōu)異，更是 EG2104 的理想替代型號，輕松適配各類功率應(yīng)用場景。 -
JSM2006G650V集自舉單相高低側(cè)同相電機驅(qū)動芯片
在電機驅(qū)動領(lǐng)域，芯片的穩(wěn)定性、兼容性和性能直接影響設(shè)備的運行效率與壽命。杰盛微半導(dǎo)體自主研發(fā)的JSM2006G 650V 集自舉單相高低側(cè)同相電機驅(qū)動芯片，憑借優(yōu)異的參數(shù)表現(xiàn)和廣泛的兼容性，成為替代 PT5606、KP85302 的理想選擇，為電機控制、家電、逆變器等場景提供高性價比解決方案。 -
JSM2203STR 4A 250V集成自舉半橋高同低反柵極驅(qū)動芯片
在功率電子驅(qū)動領(lǐng)域，穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動芯片是電路高效運行的核心。如果你正在尋找 FD2203 的高性價比替代方案，杰盛微半導(dǎo)體推出的JSM2203STR絕對值得關(guān)注！這款 4A250V 集成自舉半橋高同低反柵極驅(qū)動芯片，不僅兼容 FD2203 的核心功能，更在性能、可靠性和應(yīng)用靈活性上實現(xiàn)升級，為電機控制、逆變器、充電樁等場景提供強力支持。