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              傳長江存儲成功打入蘋果iPhone閃存芯片供應(yīng)鏈

              2022-03-30 來源:互聯(lián)網(wǎng)
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              關(guān)鍵詞: 長江存儲 閃存芯片

              據(jù)臺灣媒體報道,近日業(yè)內(nèi)傳出消息稱,中國NAND Flash(閃存)芯片大廠長江存儲(YMTC)今年正式打入蘋果iPhone的Flash供應(yīng)鏈。根據(jù)長江存儲已出貨時程看,應(yīng)是打入了蘋果剛發(fā)布的iPhone SE 3供應(yīng)鏈。



              蘋果iPhone的Flash供應(yīng)商此前主要為SK 海力士和鎧俠(Kioxia),因此長江存儲成功打入iPhone供應(yīng)鏈,也反應(yīng)了其在NAND Flash技術(shù)上已經(jīng)趕上了國際大廠。同時也意味著在政府的支持下,中國的NAND Flash產(chǎn)業(yè)發(fā)展卓有成效。


              據(jù)產(chǎn)業(yè)分析師透露,由于長江存儲技術(shù)皆是自行開發(fā),其閃存均基于自研的Xtacking架構(gòu),因此沒有專利問題。


              資料顯示,長江存儲成立于2016年7月,由紫光集團(tuán)、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎(chǔ)上組建成立。據(jù)統(tǒng)計,長江存儲總投資約1600億元。


              2016年12月,以長江存儲為主體的國家存儲器基地正式開工建設(shè),其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,預(yù)計項(xiàng)目建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。


              依托武漢新芯已有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ),采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動的方式,長江存儲已于2017年研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片。而隨著2018年長江存儲的32層NAND Flash的量產(chǎn),國產(chǎn)閃存芯片終于實(shí)現(xiàn)了重大突破。不過,由于該技術(shù)與國際主流技術(shù)相差較大,所以并未在市場獲得成功。


              2019年9月長江存儲正式宣布,成功量產(chǎn)基于自研的Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND Flash。據(jù)長江存儲介紹,該閃存滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求,與目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND閃存相比,其擁有同代產(chǎn)品中更高存儲密度。


              隨后長江存儲的64層256Gb TLC 3D NAND閃存還成功打入了華為Mate40系列的供應(yīng)鏈。


              為了進(jìn)一步縮短與三星、SK海力士、鎧俠等公司的差距,長江存儲跳過了96層,直接進(jìn)行了128層3D NAND Flash的研發(fā)。


              2020年4月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。


              據(jù)介紹,長江存儲X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號:X2-9060),單顆容量512Gb(64GB),以滿足不同應(yīng)用場景的需求。


              2020年8月,長江存儲又推出自有存儲品牌“致鈦”,隨后推出了一系列自有品牌SSD產(chǎn)品,并在市場上獲得了不錯的表現(xiàn)。


              去年10月,國外權(quán)威研究機(jī)構(gòu)Tech Insights對長江存儲的128層TLC 3D閃存進(jìn)行了芯片級的拆解,發(fā)現(xiàn)其存儲密度達(dá)到了目前業(yè)界最高的8.48 Gb/mm2,遠(yuǎn)高于三星、美光、SK海力士等一線NAND芯片大廠。


              最新的消息顯示,目前長江存儲已具備192層3D閃存生產(chǎn)能力。并且在月產(chǎn)能方面,可能已經(jīng)達(dá)到了僅10萬片的規(guī)模。


              雖然長江存儲在存儲技術(shù)上正在快速追趕國際一線廠商,并且差距也正在縮小,但是不可否認(rèn)的是,目前差距依然存在,特別是產(chǎn)能上的差距。要知道目前僅三星一家的NAND Flash的產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到了約50萬片/月的規(guī)模。

               

              隨著此次長江存儲的NAND Flash成功打入iPhone供應(yīng)鏈,勢必將進(jìn)一步助力長江存儲的對于三星、SK海力士、鎧俠等頭部廠商的追趕。



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