中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體擬投資約4.62億元升級(jí)碳化硅芯片生產(chǎn)線(xiàn)

4月13日消息，時(shí)代電氣發(fā)布關(guān)于自愿披露控股子公司中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體投資碳化硅芯片生產(chǎn)線(xiàn)技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目的公告。

公告顯示，中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體擬在已建成SiC芯片線(xiàn)的基礎(chǔ)上，進(jìn)行投資4.62億元人民幣實(shí)施碳化硅芯片生產(chǎn)線(xiàn)技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，項(xiàng)目建設(shè)工期24個(gè)月。

項(xiàng)目主要內(nèi)容對(duì)湖南省株洲市田心工業(yè)園區(qū)內(nèi)碳化硅芯片線(xiàn)廠(chǎng)房進(jìn)行改造升級(jí)，改造既有設(shè)備，新增工藝設(shè)備及工藝輔助設(shè)備，信息化軟件新增或?qū)嵤┓?wù)等。

項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵SiCMOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿(mǎn)足溝槽柵SiCMOSFET芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線(xiàn)提升到6英寸，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線(xiàn)年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線(xiàn)25000片/年。