5400萬(wàn)，俄羅斯想對(duì)標(biāo)ASML，研發(fā)超過(guò)EUV的光刻機(jī)？你信么？

近日，有媒體報(bào)道稱(chēng)，在芯片全面被美國(guó)制裁后，俄羅斯打算自己研發(fā)光刻機(jī)，并且一出手就對(duì)標(biāo)當(dāng)前最牛的ASML的EUV光刻機(jī)技術(shù)。

而為了研發(fā)出這種光刻機(jī)，俄羅斯前期投資6．7億盧布（約5400萬(wàn)元人民幣），由有著蘇聯(lián)硅谷中心之稱(chēng)、以微電子專(zhuān)業(yè)見(jiàn)長(zhǎng)的俄羅斯莫斯科電子技術(shù)學(xué)院 （MIET）來(lái)負(fù)責(zé)。

一時(shí)之間，網(wǎng)友們沸騰了，看好者有之，吐槽者有之。

有人說(shuō)5400萬(wàn)就想研發(fā)出比EUV更牛的光刻機(jī)，真的是做夢(mèng)，要這么容易，中國(guó)早研發(fā)出來(lái)了，佳能、尼康也不至于被ASML打得找不著北了。

也有人看好，稱(chēng)俄羅斯的理論技術(shù)還是很厲害的，一旦下定決心來(lái)研發(fā)，說(shuō)不定是有可能的，我們樂(lè)觀其成。

那么俄羅斯要搞的技術(shù)，究竟是什么技術(shù)？為什么說(shuō)比ASML的EUV光刻機(jī)還先進(jìn)？其實(shí)是一種“無(wú)掩膜X射線光刻機(jī)”。

原理就是操作波長(zhǎng)是0．01nm到10nm之間的X射線，直接在硅片上，刻畫(huà)出電路圖來(lái)，類(lèi)似于激光刻章那種。

由于芯片的精度，一定程度上是與光線相對(duì)應(yīng)的，而EUV采用的是13．9nm波長(zhǎng)的光源，所以從光源看，X射線似乎確實(shí)更厲害一點(diǎn)。

其實(shí)這項(xiàng)技術(shù)在30年前就提出來(lái)了，但是你想一想，操縱X射頻，在硅片上直接刻幾十層、上百億個(gè)晶體管的電路圖，可不是刻章刻幾個(gè)字的問(wèn)題，你想一想就知道有多難。

所以雖然30多年來(lái)一直有研究，但大家并沒(méi)有用于芯片制造，而是采用了現(xiàn)在的光刻原理，就是先制作電路圖的掩膜，再通過(guò)光刻機(jī)來(lái)照射，把掩膜上的電路刻到硅晶圓上，這樣雖然流程很復(fù)雜，但可操作性就大多了。

只是現(xiàn)在俄羅斯要想搞光刻機(jī)，沒(méi)有廠商敢與他合作，所以不得不另辟蹊徑，走這條看起來(lái)簡(jiǎn)單，也不需要太多廠商合作的方式，這是沒(méi)有辦法的辦法。

至于能不能成功，又誰(shuí)知道呢，反正除了ASML外，其它各國(guó)，甚至各大芯片企業(yè)都希望它能夠成功的，特別是中國(guó)，可是熱切的希望它能夠成功。