三星內(nèi)存技術(shù)突然落后！決定中斷12nm DRAM芯片開發(fā)：直上11nm

三星不僅是世界第一大DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)商，技術(shù)水平也是最先進(jìn)。

據(jù)BusinessKorea，三星要求研發(fā)人員停止1b工藝DRAM芯片的開發(fā)，也就是跳過12nm，直接跨代到1c，即11nm。

三星設(shè)定了非常激進(jìn)的目標(biāo)，即在今年6月完成并凍結(jié)11nm、第六代DRAM芯片的開發(fā)工作。

此前的說法是三星1b（12nm）DRAM芯片遇到困難，搞不定。不過就最新的報(bào)道來看，似乎并非如此，當(dāng)然，最終實(shí)情如何，還得拿實(shí)物量產(chǎn)說話。

報(bào)道指出，三星此舉目的在于重新拉開與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士、美光的技術(shù)差距，其原因在于1a DRAM芯片量產(chǎn)上，三星實(shí)際上落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

事實(shí)上，這并非三星第一次在DRAM芯片上計(jì)劃“彎道超車”，當(dāng)年對(duì)手都在搞28nm DRAM時(shí)，三星聚焦更先進(jìn)的25nm工藝，結(jié)果高風(fēng)險(xiǎn)最終促成高收益。