三星與ASML達成協(xié)議：采購下一代High-NA EUV光刻機

6 月 30 日消息，據 BusinessKorea 報道，三星電子副董事長李在镕于 6 月中旬結束了對歐洲的商務訪問，此行他與 ASML 公司就引進該荷蘭半導體設備制造商的下一代極紫外（EUV）光刻設備進行了會談。

報道稱，李在镕于 6 月 14 日（當地時間）在荷蘭 ASML 總部會見了 ASML 首席執(zhí)行官 Peter Wennink 和首席技術官 Martin van den Brink，并就引進今年生產的 EUV 光刻設備和計劃于明年推出的高數值孔徑（High-NA）EUV 光刻設備達成了協(xié)議。

High-NA EUV 是下一代光刻設備，與現有的 EUV 光刻設備相比，可以雕刻出更精細的電路，其被認為是一個改變游戲規(guī)則的設備，將決定 3 納米以下代工市場技術競賽的贏家。

了解到，High-NA EUV 光刻設備的單價估計為 5000 億韓元（約 25.85 億元人民幣），是現有 EUV 光刻設備的兩倍。

今年早些時候，英特爾宣布已簽署合同購買 5 臺這種設備，用于在 2025 年生產 1.8 納米芯片。臺積電也在 6 月 16 日的美國硅谷技術研討會上表示，它將在 2024 年在全球首次將 High-NA EUV 光刻設備引入其工藝。

在這場對下一代 EUV 光刻設備的爭奪中，三星電子也尋求獲得最新的 EUV 設備。李在镕的歐洲商務之旅主要是為了確保獲得下一代 High-NA EUV 光刻設備，以及目前正在生產的最新一代設備。

ASML 今年只能生產 50 臺 EUV 設備，交貨期為一年到一年零六個月。該公司有限的生產能力和較長的交貨期，助長了對 High-NA EUV 光刻設備的預購競爭。

三星電子將 High-NA EUV 光刻設備實際應用于其半導體工藝的具體時間還沒有確定。但考慮到交付周期，預計三星電子將在 2024 年開始實際使用 High-NA EUV 光刻設備。

一些行業(yè)觀察人士呼吁韓國政府對半導體設施的投資給予更多支持。據報道，三星電子已經獲得了今年計劃生產的 55 臺 EUV 光刻設備中的 18 臺。這意味著，該公司僅在 EUV 光刻設備上的投資就將超過 4 萬億韓元（約 206.8 億元人民幣）。

“如果三星采購 10 臺 High-NA EUV 光刻設備，將花費公司超過 5 萬億韓元（約 258.5 億元人民幣），”一位業(yè)內人士說，“有必要擴大政府支持，以增強韓國的國家工業(yè)競爭力”。