2022年全球NAND閃存存儲(chǔ)容量及競(jìng)爭格局預(yù)測(cè)分析（圖）

中商情報(bào)網(wǎng)訊：Nand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。

存儲(chǔ)容量

隨著NAND Flash存儲(chǔ)原廠的產(chǎn)品生產(chǎn)工藝不斷更新發(fā)展，存儲(chǔ)晶圓工藝制程、電子單元密度、產(chǎn)品堆疊層數(shù)等經(jīng)歷了較大的技術(shù)更新，市場(chǎng)存儲(chǔ)密度的供給呈現(xiàn)出較快的增長速度。全球NAND Flash存儲(chǔ)容量一直保持增長，從2017年的1620億GB增長至2020年的5300億GB，年均復(fù)合增長率達(dá)35.38%，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)6110億GB

數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

競(jìng)爭格局

NAND Flash 全球市場(chǎng)高度集中，根據(jù) Omdia （IHS Markit）數(shù)據(jù)，2020 年全球 NAND Flash 市場(chǎng)規(guī)模為 571.95 億美元，由三星電子、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光科技、SK 海力士、英特爾六家公司主導(dǎo)。其中，三星電子全球市場(chǎng)份額約 34%，占比最多。鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光科技、SK 海力士、英特爾、長江存儲(chǔ)占比分別為19%、14%、11%、11%、9%、1%。SK 海力士收購英特爾 NAND Flash 業(yè)務(wù)已于 2021 年獲得主要市場(chǎng)監(jiān)管當(dāng)局批準(zhǔn)，全球 NAND Flash 市場(chǎng)將進(jìn)一步集中。

數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理