SK海力士擬年內試產238層NAND閃存

SK海力士在近日舉行的二季度財報電話會議上透露，計劃在年內完成238層NAND試產，并在2023年上半年實現量產。

針對美光近期量產232層NAND的動態，海力士方面表示各家廠商產品發布節奏不同，存儲市場目前應專注于提高盈利能力，海力士的目標是實現行業最高水平的盈利能力。

公司方面還表示，計劃今年年底實現主力產品176層4D NAND以晶圓形式出貨占比70%，以進一步提升毛利率。

針對DRAM市場行情，海力士方面表示，盡管目前DRAM的平均售價（ASP）走低，但成本下降足以彌補ASP變化，公司方面預計今年DRAM出貨量將增加約10%，NAND閃存出貨量增加20%。