SK 海力士開發出 238 層 NAND 閃存芯片，明年上半年量產

韓國 SK 海力士（SK Hynix）已經開發出 238 層 NAND 閃存芯片，它可以用于 PC 存儲設備、智能手機和服務器。上周美光也開始出貨 232 層 NAND 閃存芯片。

 

SK 海力士宣稱新的 238 層芯片是最小的 NAND 閃存芯片，數據傳輸速度相比上代產品提升 50%，讀取數據消耗的能量降低 21%。SK 海力士準備于 2023 年上半年開始大規模生產新芯片。

英特爾 NAND 業務被 SK 海力士收購后更名為 Solidigm，它與 SK 海力士合計占有全球 NAND 閃存市場的 18%，僅次于三星的 35.3% 和 Kioxia 的 18.9%。