全面圍堵！美國想禁14nm及以下、128層以上的半導體設備

近日，有媒體報道稱，為了全面圍堵中國半導體的發展，美國官員計劃對14nm及以下的芯片制造設備，以及128層以上的存儲芯片制造設備進行禁止，不允許供應商們對位于中國大陸的廠商出貨。

為何要禁止14nm及以下的芯片制造設備？原因在于28nm是成熟工藝與先進工藝的分界線，14nm算是先進工藝了，所以要禁止，只能讓我們制造成熟工藝的芯片，停留在成熟工藝上，然后先進工藝的芯片，從美國買，然后美國獲得巨額利益。

而為何要禁128層以上的存儲設備制造設備？原因在于128層的NAND閃存，在當前其實也算是成熟工藝了，長江存儲早已量產了。

像三星、SK海力士等早就進入了192層，甚至200＋層，最近美光不就表示已經推出了232層 3D NAND閃存了么？

禁128層以上設備，相當于就阻止中國存儲芯片廠商，進入了更先進的技術，只能停留在128層技術上。

據稱，這個禁令針對的是所有位于中國大陸的廠商，不管這個廠商是不是中國本土的廠商。意思就是假如臺積電、intel、三星等企業，在中國大陸設的廠，也一樣要被禁止。

很明顯，美國就是全方面的進行圍堵我們的半導體產業掌握先進技術，希望我們只能掌握成熟的技術，這樣就離不開美國的芯片，一直被美國卡著脖子，那么我們的高科技產業，就一直處于美國掌握之中。

不過，當前這個禁令還只是某些官員提出，并沒有真正的成為政策執行，但接下來會不會執行，還是未知數。

但這則消息已經反映出一個現象，那就阻止中國科技產業崛起，可能已經是美國某些政客的共識了，這對于我們而言，確實不是一個好消息。

再考慮到美國之前通過的520億美元的芯片補貼計劃，要鎖死中國高端芯片產業10年，逼芯片巨頭們二選一，所以我們接下來發展半導體產業，只能靠自己，不能對外有任何幻想，一定要全產業鏈崛起才行。