SK 海力士介紹 238 層 4D NAND 閃存：傳輸速度提升 50%，能耗減少 21%

早些時候，SK 海力士官宣全球首發(fā) 238 層 512Gb TLC 4D NAND 閃存，將于明年上半年投入量產(chǎn)。現(xiàn)在，SK 海力士官方發(fā)文對其最新技術(shù)進行了介紹。

 

據(jù)介紹，SK 海力士 238 層 NAND 閃存在達到業(yè)界最高堆棧層數(shù)的同時實現(xiàn)了全球最小的面積。

SK 海力士在 2018 年研發(fā)的 96 層 NAND 閃存就超越了傳統(tǒng)的 3D 方式，并導(dǎo)入了 4D 方式。為成功研發(fā) 4D 架構(gòu)的芯片，公司采用了電荷捕獲型技術(shù) (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri. Under Cell) 技術(shù)。相比 3D 方式，4D 架構(gòu)具有單元面積更小，生產(chǎn)效率更高的優(yōu)點。

官方稱，新產(chǎn)品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的硅晶片生產(chǎn)出更多的芯片，因此相比 176 層 NAND 閃存其生產(chǎn)效率也提高了 34%。

此外，238 層 NAND 閃存的數(shù)據(jù)傳輸速度為 2.4Gbps，相比前一代產(chǎn)品提高了 50%，芯片讀取數(shù)據(jù)時的能源消耗也減少了 21%。

SK 海力士計劃先為 cSSD 供應(yīng) 238 層 NAND 閃存，隨后將其導(dǎo)入范圍逐漸延伸至智能手機和高容量的服務(wù)器 SSD 等。SK 海力士還將于明年發(fā)布 1Tb 密度的全新 238 層 NAND 閃存產(chǎn)品。