SK 海力士介紹 238 層 4D NAND 閃存：傳輸速度提升 50%，能耗減少 21%

早些時候，SK 海力士官宣全球首發 238 層 512Gb TLC 4D NAND 閃存，將于明年上半年投入量產。現在，SK 海力士官方發文對其最新技術進行了介紹。

 

據介紹，SK 海力士 238 層 NAND 閃存在達到業界最高堆棧層數的同時實現了全球最小的面積。

SK 海力士在 2018 年研發的 96 層 NAND 閃存就超越了傳統的 3D 方式，并導入了 4D 方式。為成功研發 4D 架構的芯片，公司采用了電荷捕獲型技術 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri. Under Cell) 技術。相比 3D 方式，4D 架構具有單元面積更小，生產效率更高的優點。

官方稱，新產品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的硅晶片生產出更多的芯片，因此相比 176 層 NAND 閃存其生產效率也提高了 34%。

此外，238 層 NAND 閃存的數據傳輸速度為 2.4Gbps，相比前一代產品提高了 50%，芯片讀取數據時的能源消耗也減少了 21%。

SK 海力士計劃先為 cSSD 供應 238 層 NAND 閃存，隨后將其導入范圍逐漸延伸至智能手機和高容量的服務器 SSD 等。SK 海力士還將于明年發布 1Tb 密度的全新 238 層 NAND 閃存產品。