緊追 SK 海力士，三星電子將在今年推出 236 層 NAND 閃存

據 BusinessKorea 報道，三星電子將在今年內發布 236 層 NAND 閃存產品。此外，它還計劃在本月開設一個新的研發中心，負責更先進 NAND 閃存產品的開發。

 

當前，存儲芯片制造商正在競相增加其產品層數。SK 海力士最近完成了 238 層產品的開發，美光科技宣布開發出全球首款 232 層 NAND 閃存產品。

在 NAND 閃存市場，三星電子的市場份額占了 35%，為全球最高。不過，三星電子目前的層數記錄只為 176 層。韓媒指出，三星正準備將憑借其生產技術和價格和性能的競爭力將其增加 60 層。

外媒透露，SK 海力士正在開發的 UFS 4.0 閃存的數據處理速度：連續讀取 4000 MB/s，連續寫入 2800 MB/s。外形規格為 11×13×0.8mm。僅從速度來看，現在曝光的速度可能只搭載了 V7 NAND。

作為對比，三星在 5 月 4 日首發的 UFS 4.0 的閃存采用的是 176 層 NAND（V7），連續讀取 4200 MB/s，連續寫入 2800 MB/s，外形規格為 11×13×1mm。