再次領(lǐng)先！中芯國際賭對了，臺積電變相承認(rèn)了

在芯片制造企業(yè)中，臺積電可以說一馬當(dāng)先，尤其是在先進(jìn)制程芯片的產(chǎn)能和良品率方面，隨后是三星、英特爾、中芯國際等企業(yè)。

用臺積電張忠謀的話說，三星是臺積電的勁敵，中芯國際與臺積電還有5年的差距。

畢竟，三星在工藝方面與臺積電不分伯仲，只是產(chǎn)能和良品率低一些，而中芯國際目前能夠量產(chǎn)N+1、14nm等制程的芯片，而臺積電則開始量產(chǎn)3nm芯片了。

雖然兩者之間存在一些差距，但也是有原因的。因為中芯早在2019年就全款訂購了一臺，但ASML的EUV光刻機卻不能自由出貨。

另外，梁孟松也表示EUV光刻機到貨后，5nm芯片就能夠全面展開研發(fā)了。

不過，全球缺芯后，情況就出現(xiàn)了變化，各大晶圓工廠都積極擴(kuò)大芯片產(chǎn)能，其中，臺積電計劃投資1000億美元，主要提升先進(jìn)制程芯片的產(chǎn)能。

三星計劃在未來10年投資超2000億美元擴(kuò)產(chǎn)，而英特爾也宣布了1000億美元的投資建廠計劃。

但是，中芯國際的動作也很快，關(guān)鍵是很準(zhǔn)確，其早在2020年就開始投資擴(kuò)產(chǎn)，直接投資500億元擴(kuò)大28nm等芯片生產(chǎn)線。

隨后，中芯國際又在深圳、上海、天津三個城市宣布投資建廠，仍是擴(kuò)大28nm等芯片的生產(chǎn)線，四次投資超過1700億元。

如今，全球缺芯得到了緩解，先進(jìn)制程芯片的產(chǎn)能已經(jīng)出現(xiàn)過剩，高通、聯(lián)發(fā)科等削減訂單，英特爾、蘋果等推遲了3nm芯片，但成熟工藝芯片仍很緊缺。

甚至有消息稱，臺積電計劃放棄N3工藝，明年直接采用N3E工藝，同時，由于先進(jìn)制程芯片訂單減少，都計劃關(guān)閉部分EUV光刻機。

這意味著中芯國際賭對了，其多次擴(kuò)大28nm等芯片的產(chǎn)能是正確的做法。

更何況，ASML也表示28nm等成熟工藝的芯片才是最缺的產(chǎn)品，這影響了半導(dǎo)體、汽車等眾多行業(yè)。

當(dāng)然，中芯國際不僅在28nm芯片產(chǎn)能方面領(lǐng)先，其還實現(xiàn)了BCD工藝方面領(lǐng)先。

據(jù)悉，BCD工藝是單片集成工藝，就是將三種不同的元器件集中在一顆芯片上制造，該工藝的芯片主要用在汽車、通信等領(lǐng)域內(nèi)。

就目前而言，在BCD工藝方面，中芯國際也做到了領(lǐng)先，已經(jīng)實現(xiàn)了55nm。

要知道，BCD工藝的55nm與其它工藝不同了，畢竟，意法半導(dǎo)體的BCD工藝是90nm，臺積電和三星的BCD工藝也停留在65nm。

從這一點就能夠看出來在，中芯國際在BCD工藝方面是再次領(lǐng)先了。

當(dāng)然，在28nm芯片擴(kuò)產(chǎn)和BCD工藝方面，中芯國際做到了領(lǐng)先優(yōu)勢，臺積電也是變相承認(rèn)了這一點。

據(jù)悉，臺積電已經(jīng)開始擴(kuò)大28/22nm等制程的芯片，其先是擴(kuò)大南京工廠產(chǎn)能，隨后又在日本建廠，還計劃在歐洲、印度等地區(qū)建廠。

臺積電大肆投資建設(shè)28n/22nm等芯片工廠，這就說明其承認(rèn)中芯國際擴(kuò)大28nm芯片產(chǎn)能的做法是正確的。

另外，臺積電總裁魏哲家早就表示28nm等芯片滿足汽車、5G通訊等諸多行業(yè)對芯片的大量需求，還是實現(xiàn)了性能和成本之間的平衡。

臺積電總裁魏哲家日前再次警告稱，低端芯片的短缺，正在讓整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到影響。而所謂低端芯片就是28nm等成熟工藝的芯片。

要知道，臺積電也出現(xiàn)了產(chǎn)品交付延期的現(xiàn)象，主要原因就是制造芯片的設(shè)備中缺少了一些低端芯片，從而阻止了更多芯片的生產(chǎn)。

由此可見，中芯國際及早擴(kuò)大28nm等芯片產(chǎn)能，還押注BCD等工藝，這完全是賭對了。

所以才說再次領(lǐng)先！中芯國際賭對了，臺積電變相承認(rèn)了。對此，你們怎么看。