臺(tái)積電 2nm 預(yù)計(jì) 2025 年量產(chǎn)，業(yè)界看好其領(lǐng)先三星和英特爾

9 月 12 日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，晶圓代工廠臺(tái)積電 2nm 制程將于 2025 年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對(duì)手三星及英特爾。

臺(tái)積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，3nm 將在今年下半年量產(chǎn)，升級(jí)版 3nm（N3E）制程將于 3nm 量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即 2023 年量產(chǎn)，2nm 預(yù)計(jì)于 2025 年量產(chǎn)。

臺(tái)積電 2nm 廠將落地竹科寶山二期擴(kuò)建計(jì)劃，“竹科管理局”已展開(kāi)公共設(shè)施建設(shè)，臺(tái)積電 2nm 廠也開(kāi)始進(jìn)行整地作業(yè)。

臺(tái)積電 2nm 首次采用納米片架構(gòu)，相較 N3E 制程，在相同功耗下頻率可提升 10% 至 15%。在相同頻率下，功耗降低 25% 至 30%。

臺(tái)積電總裁魏哲家日前在技術(shù)論壇中強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電 2nm 將會(huì)是密度最優(yōu)、效能最好的技術(shù)。市場(chǎng)也看好，臺(tái)積電 2nm 進(jìn)度將領(lǐng)先對(duì)手三星及英特爾。

此前消息稱(chēng)，雖然在 3nm 世代略有保守，但無(wú)論如何，鰭片 (Fin) 寬度都已經(jīng)接近實(shí)際極限，再向下就會(huì)遇到瓶頸，所以外資法人預(yù)估臺(tái)積電 2nm 先進(jìn)制程將采用環(huán)繞式閘極場(chǎng)效電晶體 GAAFET 高端架構(gòu)生產(chǎn) 2nm 芯片。